Jacek Baranowski (fizyk)

---

Życiorys

Jacek Baranowski to wybitny naukowiec, który od lat związany jest z Wydziałem Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego. Tam właśnie ukończył studia doktoranckie pod opieką wybitnego profesora Leonarda Sosnowskiego, a następnie uzyskał habilitację. W 2009 roku przeszedł na emeryturę, jednak nie zakończył swojej kariery naukowej. Jego dalsze życie zawodowe związane jest z Instytutem Mikroelektroniki i Fotoniki (Łukasiewicz-IMiF) w Warszawie.

Już od 2007 roku badania nad grafenem stanowią główną oś jego zainteresowań. Oprócz tego, koncentruje się na badaniach dotyczących azotku boru oraz materiałów dwuwymiarowych, w tym grafenu oraz TMD (materiałów dwuwymiarowych). W ciągu swojej kariery naukowej prof. Baranowski opublikował ponad 230 prac w renomowanych międzynarodowych periodykach naukowych, które spotkały się z dużym zainteresowaniem – jego publikacje były cytowane w literaturze naukowej ponad 3500 razy. Uzyskał również znaczący indeks H, wynoszący 34 według danych z Web of Science.

W trakcie swojej pracy dydaktycznej i naukowej na Uniwersytecie Warszawskim, prof. Baranowski przyczynił się do wypromowania 16 doktorantów. Oprócz działalności akademickiej, zrealizował także szereg długoterminowych staży naukowych w uznawanych ośrodkach badawczych na całym świecie.

Po uzyskaniu tytułu magistra, Jacek Baranowski przebywał w latach 1965-1967 na Uniwersytecie Stanforda w Kalifornii, gdzie prowadził badania dotyczące domieszek metali przejściowych w półprzewodnikach. Jego praca naukowa kontynuowana była później w 1974 roku na St. Andrew’s University w Szkocji, a w latach 1983-1984 pełnił funkcję profesora zaproszonego na Uniwersytecie Pierre and Marie Curie w Paryżu. Kolejnym etapem jego kariery była praca na Berkley University w Kalifornii w latach 1989-1991 jako profesor zaproszony.

Warto również zaznaczyć, że prof. Baranowski jest laureatem prestiżowej Nagrody Naukowej PAN im. Marii Skłodowskiej Curie, która została mu przyznana w 1991 roku. Był także kierownikiem projektu grantu GRAFMET z Narodowego Centrum Badań i Rozwoju, który dotyczył technologii wzrostu grafenu na metalach, a który realizowany był przez dawny Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych w Warszawie.

W dniu 14.03.2024 roku na Uniwersytecie Warszawskim odbyła się uroczystość odnowienia doktoratu prof. Jacka Baranowskiego, co podkreśla jego znaczenie w środowisku naukowym oraz jego wkład w rozwój dziedziny fizyki.

Wybrane publikacje

Oto przegląd wybranych publikacji, które stanowią istotny wkład w dziedzinę fizyki, ze szczególnym uwzględnieniem badań nad grafenem.

• Grzegorz G. Gawlik i inni, „Defekty grafenu indukowane przez wiązkę jonową”, w „Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms”, 408, 2017, s. 228–234, DOI: 10.1016/j.nimb.2017.04.082 [dostęp 2021-11-16] (ang.).
• Rebeca A.R.A. Bueno i inni, „Wysoko selektywna kowalencyjna funkcjonalizacja organiczna epitaksjalnego grafenu”, w „Nature Communications”, 8 (1), 2017, s. 15306, DOI: 10.1038/ncomms15306, PMID: 28480884, PMCID: PMC5424159 [dostęp 2021-11-16] (ang.).
• Iwona I. Pasternak i inni, „Wzrost grafenu na podłożach Ge(100)/Si(100) metodą CVD”, w „Scientific Reports”, 6 (1), 2016, s. 21773, DOI: 10.1038/srep21773, PMID: 26899732, PMCID: PMC4761869 [dostęp 2021-11-16] (ang.).
• I.I. Pasternak i inni, „Grafen wysokiej jakości na dużą skalę na podłożach Ge(001)/Si(001)”, w „Nanoscale”, 8 (21), 2016, s. 11241–11247, DOI: 10.1039/C6NR01329E [dostęp 2021-11-16] (ang.).
• Grzegorz G. Gawlik i inni, „Defekty indukowane wiązką jonową w grafenie CVD na szkle”, w „Surface and Coatings Technology”, 306, 2016, s. 119–122, DOI: 10.1016/j.surfcoat.2016.05.041 [dostęp 2021-11-16] (ang.).
• M.M. Rogala i inni, „Efekt obserwatora w tlenku grafenu – Jak standardowe pomiary wpływają na strukturę chemiczną i elektroniczną”, w „Carbon”, 103, 2016, s. 235–241, DOI: 10.1016/j.carbon.2016.03.015 [dostęp 2021-11-16] (ang.).
• P.P. Dabrowski i inni, „Nitrogen dope epitaksjalny grafen na 4H-SiC(0001) – Badania eksperymentalne i teoretyczne”, w „Carbon”, 94, 2015, s. 214–223, DOI: 10.1016/j.carbon.2015.06.073 [dostęp 2021-11-16] (ang.).
• G.G. Kowalski i inni, „Nowe promieniowanie rentgenowskie w kontekście interkalacji tlenu w epitaksjalnym grafenie wyhodowanym na 4H-SiC(0001)”, w „Journal of Applied Physics”, 117 (10), 2015, s. 105301, DOI: 10.1063/1.4914161 [dostęp 2021-11-16] (ang.).

---

Oceń: Jacek Baranowski (fizyk)

---